碳纳米管的薄膜场发射

• 作者: 侯士敏 刘惟敏 张兆祥 张耿民 薛增泉 赵兴钰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CNT 薄膜场发射 制备工艺
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 综述评论
• 页码范围: 27-32
• 页数: 6页
• 分类号: O462.4
• 字数: 5012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.01.008

摘要

薄膜场发射特性是碳纳米管(CNT)研究的重要课题之一,它直接关系到CNT场发射阴极在将来的实际应用.本文就CNT的场发射做一综合评述,主要涉及性能指标、结构模型、图形化方法和工艺等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耿民	北京大学电子学系	26	189	8.0	13.0
2	张兆祥	北京大学电子学系	26	156	7.0	11.0
3	薛增泉	北京大学电子学系	66	466	11.0	19.0
4	刘惟敏	北京大学电子学系	40	283	8.0	15.0
5	赵兴钰	北京大学电子学系	28	187	7.0	13.0
6	侯士敏	北京大学电子学系	42	265	8.0	15.0