激光刻蚀与化学腐蚀结合法制备量子线(点)结构

• 作者: 吕少哲 孟庆端 王美田 胡礼中 赵宇
• 来源期刊: 大连理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 干涉激光束 化学腐蚀 量子线(点)
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 信息工程与管理
• 页码范围: 382-384
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.7|TN304.23
• 字数: 1262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-8608.2003.03.026

摘要

目前制备量子线(点)主要采用微细加工或自组织方法,但存在沾污或分布规律不可控等局限性. 介绍了一种既可避免这些缺点而且简单易行的方法:利用激光刻蚀与化学腐蚀相结合的方法,在InP单晶片上刻蚀出了台宽为1 μm且分布规则的条状结构和网格结构,通过化学方法进一步腐蚀后,可使台宽减小到160 nm左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕少哲	中国科学院激发态物理开放实验室	37	411	11.0	19.0
2	胡礼中	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	28	160	8.0	11.0
3	赵宇	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	34	82	5.0	7.0
4	王美田	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	13	3.0	3.0
5	孟庆端	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	2	30	2.0	2.0