纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用

• 作者: 仲顺安 廖波 张大成 李婷 王静静 罗葵 谢君堂 郝一龙
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜 场发射压力传感器 场发射特性
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 205-208
• 页数: 4页
• 分类号: TP21
• 字数: 1699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2003.03.003

摘要

设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件, 用CVD技术制备了粒径为3 ～ 9 nm, 厚度为30 ～ 40 nm的纳米硅薄膜, 并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作, 形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构. 用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性, 用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构, 用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性. 实验结果表明, 当外加电场为5.6 ×105 V/m时, 器件有效区域发射电流密度可达53.5 A/m2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝一龙	北京大学微电子中心	46	716	15.0	25.0
2	仲顺安	北京理工大学信息科学技术学院	54	185	7.0	10.0
3	张大成	北京大学微电子中心	43	793	13.0	27.0
4	李婷	北京大学微电子中心	44	616	13.0	23.0
5	廖波	北京理工大学信息科学技术学院	19	100	7.0	9.0
6	谢君堂	北京理工大学信息科学技术学院	5	29	3.0	5.0
7	王静静	北京理工大学信息科学技术学院	2	21	2.0	2.0
8	罗葵	北京大学微电子中心	4	12	2.0	3.0