轰击离子能量对CNx薄膜中sp3 型C-N键含量的影响

• 作者: 卞海蛟 吕宪义 曹培江 李俊杰 郑伟涛 金曾孙
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CNx薄膜 化学键合 sp3 C-N键
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 880-883
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2003.05.022

摘要

对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究. 利用不同的衬底负偏压(Vb)来控制轰击衬底表面的入射离子能量, 从而影响膜中的化学键合的状态. 样品的FTIR, Raman和XPS分析结果表明, CNx薄膜中N原子分别与sp, sp2和sp3杂化状态的C原子结合, 其中sp3型C-N键含量先随着衬底偏压(Vb)的升高而增加, 并在偏压Vb=-50 V时达到最大值, 但随着Vb继续升高, sp3型C-N键含量减少. 这表明CNx薄膜中, sp3型C-N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟涛	吉林大学材料科学与工程学院	48	245	8.0	13.0
2	吕宪义	吉林大学超硬材料国家重点实验室	27	302	10.0	17.0
3	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	50	462	12.0	19.0
4	李俊杰	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	122	5.0	10.0
8	卞海蛟	吉林大学材料科学与工程学院	2	9	2.0	2.0
9	曹培江	吉林大学超硬材料国家重点实验室	4	23	4.0	4.0