高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

• 作者: 卞海蛟 吕宪义 姜志刚 李俊杰 白亦真 赵永年 郑伟涛 金曾孙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CNx薄膜 化学键合 退火温度 场致电子发射
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1797-1801
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.045

摘要

采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化,其中sp2键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明高温退火可以导致CNx薄膜中N含量大量损失,并在薄膜中形成大量sp2键,这些化学成分及键合结构上的变化将直接影响CNx薄膜的场发射特性.与其他温度退火样品相比,750 ℃退火的样品具有最低的阈值电场,显示出较好的场发射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑伟涛	吉林大学材料科学与工程学院	48	245	8.0	13.0
2	吕宪义	吉林大学超硬材料国家重点实验室	27	302	10.0	17.0
3	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	50	462	12.0	19.0
4	李俊杰	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	122	5.0	10.0
8	卞海蛟	吉林大学材料科学与工程学院	2	9	2.0	2.0
9	姜志刚	吉林大学超硬材料国家重点实验室	21	157	6.0	12.0
10	白亦真	吉林大学超硬材料国家重点实验室	6	78	4.0	6.0