在不同退火温度下射频磁控溅射CNx膜的电子场发射性质

• 作者: 于狭升 吕宪义 李俊杰 李哲奎 田宏伟 白晓明 郑冰 金曾孙
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 CNx膜 退火温度 电子场发射
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 182-184
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 1726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2005.02.012

摘要

对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火, 退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征. 结果发现, 沉积的CNx膜中氮原子与sp, sp2, sp3杂化碳原子相键合, 并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕宪义	吉林大学超硬材料国家重点实验室	27	302	10.0	17.0
2	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	50	462	12.0	19.0
3	李俊杰	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	122	5.0	10.0
4	白晓明	吉林大学材料科学与工程学院材料科学系	3	51	2.0	3.0
5	郑冰	吉林大学材料科学与工程学院材料科学系	2	2	1.0	1.0
6	田宏伟	吉林大学材料科学与工程学院材料科学系	9	108	5.0	9.0