半导体材料

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 微分电容 铜酞菁 PHTHALOCYANINE 光跃迁 insensitive transitions 半绝缘 脉冲激光 子模式
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 6-7
• 页数: 2页
• 分类号: TN304

摘要

【正】 Y2002-63302-122 0304932铜酞菁有机器件的复微分电容=Negative differentialcapacitance in copper phthalocyanine organic devices[会,英]/Xu,M.S.& Xu,J.B.//2001 IEEE Hong KongElectron Devices Meeting.—122～125（E）Y2002-63306-109 0304933具有温度敏感带隙的新半导体合金 GaAs_1-xBi_x 中的光跃迁=Optical transitions in new semiconductor alloyGaAs_1-xBi_x with temperature-insensitive band gap[会,英]/Yoshida,J.& Yamamizu,H.//2001 IEEE Inter-national Conference on Indium Phosphide and RelatedMaterials.—109～112（E）