新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性

• 作者: 安正华 徐政 林成鲁 门传玲
• 来源期刊: 同济大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝薄膜 应力 高分辨X射线衍射
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 361-364
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 2868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-374X.2003.03.024

摘要

为减轻传统SOI(silicon-on-insulator)材料的自加热效应,首次利用智能剥离技术(smart-cut process)成功制备了SOAN(silicon-on-aluminum-nitride)结构,即以氮化铝(AlN)薄膜为埋层的SOI结构.采用离子束增强技术(IBED)在10.16 cm(4 in)硅片上合成了AIN薄膜.剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构.高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力,实验结果表明刚得到的SOAN结构在1 100 ℃下退火1 h后顶层硅中的剩余晶格应力从张应力变成压应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐政	同济大学材料科学与工程学院	160	2312	24.0	39.0
2	林成鲁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
3	门传玲	同济大学材料科学与工程学院	4	39	4.0	4.0
7	安正华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	28	4.0	5.0