分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究

• 作者: 侯晓远 俞根才 史向华 王兴军
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学材料 ZnSe 拉曼光谱 相干长度
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 光电材料
• 页码范围: 619-621
• 页数: 3页
• 分类号: O433.1
• 字数: 2621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2003.05.023

摘要

用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045 μm到1.4 μm的ZnSe薄膜.通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-optical phonon)的谱形进行了分析.用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的,这是由于界面失配位错引入外延层所致,理论分析与实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史向华	长沙电力学院物理系	25	84	5.0	8.0
5	王兴军	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	23	3.0	4.0
6	俞根才	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	18	2.0	3.0
7	侯晓远	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	14	86	4.0	9.0