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世界集成电路--十年风光世界惊 设计加工两得意
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摘要：
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CMOS集成电路的ESD设计技术
互补金属氧化物半导体
集成电路
静电放电
技术
设计
CMOS集成电路的抗辐射设计
CMOS集成电路
抗辐射加固
总剂量效应
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集成电路版图(layout)设计方法与实例
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MOS
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期刊影响力
电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
总被引数（次）
19602
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