50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

• 作者: 伊福廷 叶甜春 张菊芳 彭良强 李兵 谢常青 陈大鹏 韩勇
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线光刻 同步辐射 束衍生法 光刻分辨率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 321-324
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2837字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.05.001

摘要

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟.对于100nm同步辐射X射线光刻系统而言,它采用的波长通常为0.7-1.0nm,而当光刻分辨率达到50nm以下时,采用的同步辐射X射线波长范围应该为0.2-0.4 nm.探讨了在北京同步辐射381A光刻束线上进行50 nm X射线光刻的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兵	中国科学院微电子研究中心	79	708	16.0	24.0
2	叶甜春	中国科学院微电子研究中心	200	911	14.0	18.0
3	彭良强	中国科学院高能物理研究所	24	141	7.0	11.0
4	张菊芳	中国科学院高能物理研究所	21	136	6.0	11.0
5	陈大鹏	中国科学院微电子研究中心	79	466	10.0	17.0
6	韩勇	中国科学院高能物理研究所	67	1000	16.0	30.0
7	伊福廷	中国科学院高能物理研究所	38	150	6.0	10.0
8	谢常青	中国科学院微电子研究中心	50	258	9.0	12.0