硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响

• 作者: 孙振翠 曹文田 李玉国 董志华 薛成山 魏芹芹
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3薄膜 GaN晶体膜 射频磁控溅射 镓浓度
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3433字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究.用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明,采用此方法可得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.镓浓度在影响膜层质量方面起着不可忽视的作用,随着扩镓浓度的增加,薄膜的晶化程度和发光特性明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山		5	21	2.0	4.0
2	孙振翠		1	1	1.0	1.0
3	曹文田		1	1	1.0	1.0
4	魏芹芹		1	1	1.0	1.0
5	李玉国		5	16	3.0	3.0
6	董志华		1	1	1.0	1.0