扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析

• 作者: 孙振翠 曹文田 王书运 薛成山
• 来源期刊: 分析测试技术与仪器
• 学科: 化学
• 关键词: Ga2O3薄膜 GaN晶体膜 射频磁控溅射 扩镓时间 氮化时间
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: O657.32
• 字数: 3188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3757.2004.02.004

摘要

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析.观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
3	曹文田	山东师范大学物理与电子科学学院	18	40	3.0	5.0
4	孙振翠	山东师范大学物理与电子科学学院	15	52	4.0	6.0