基于SOI的双极场效应晶体管

• 作者: 尚玉全 晏敏 曾云 滕涛 高云
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双极MOS场效应晶体管 绝缘衬底上的硅 体硅 固体电子器件
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 离子束技术
• 页码范围: 16-21
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 字数: 3789字
• 语种: 中文

摘要

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件--双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应.提出了一种新型固体电子器件--基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理.与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	晏敏	湖南大学微电子研究所	61	635	13.0	23.0
2	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
3	高云	湖南大学微电子研究所	5	70	3.0	5.0
4	滕涛	湖南大学微电子研究所	5	64	3.0	5.0
5	尚玉全	湖南大学微电子研究所	4	63	3.0	4.0