Sr2Bi4-x/3Ti5-xNbxO18陶瓷的铁电介电性能

• 作者: 孙慧 沈柏清 陈小兵
• 来源期刊: 扬州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电 陶瓷 掺杂 剩余极化 介电损耗 点缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: O482.54|TM271.4
• 字数: 2093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-824X.2004.04.010

摘要

对Sr2Bi4-x/3Ti5-xNbxO18 (x=0,0.003,0.018,0.048,0.096)陶瓷样品的铁电和介电性能进行了测量.结果表明,Sr2Bi4Ti5O18样品的剩余极化2Pr为0.22 C·m-2,少量Nb掺杂可使样品的2Pr有明显提高,当x=0.018时,2Pr达到最大为0.34 C·m-2.介电损耗随温度的变化关系曲线上存在P1,P2,P3 3个介电损耗峰,分别在70,230,290℃附近.低温部分的2个损耗峰具有介电弛豫的特征,其弛豫机制被认为是点缺陷与畴界之间的相互作用.通过激活参数的计算以及损耗峰随不同Bi过量的变化,可以确定P1,P2峰的弛豫机制与Sr,Ti空位有关.随着Nb掺杂量的增加,P1,P2峰逐渐降低,表明Nb掺杂降低了样品中缺陷的浓度,从而使得样品的2Pr明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
2	孙慧	扬州大学物理科学与技术学院	9	12	2.0	2.0
3	沈柏清	扬州大学物理科学与技术学院	2	5	2.0	2.0