CVD金刚石膜工艺研究

• 作者: 张鬲君 易孟林 苗晋琦
• 来源期刊: 郑州工业高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: CVD金刚石膜 生长速率 直流电弧等离子体喷射 制造工艺 光学窗口材料
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 15-16
• 页数: 2页
• 分类号: TG731

摘要

用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加，随工作气压的升高先是增加，而后降低，峰值在15—20kPa处。