反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

• 作者: 付绍军 刘颖 徐向东 洪义麟 王旭迪
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子束刻蚀 光刻胶灰化 灰化速率 占空比 衍射光学元件
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1561字
• 语种: 中文

摘要

以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶.研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势.经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的.用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化.该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向东	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	74	701	15.0	21.0
2	洪义麟	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	56	478	13.0	19.0
3	付绍军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	69	435	12.0	15.0
4	刘颖	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	158	3777	30.0	58.0
5	王旭迪	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	40	192	9.0	12.0