检测设备对空白晶圆在130 nm及之后技术的质量认证

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 检测设备 硅片材料 表面局部平整度 表面COP缺陷 精密/公差 比率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 测试与测量技术
• 页码范围: 15-24
• 页数: 10页
• 分类号: TN407
• 字数: 1453字
• 语种: 中文

摘要

在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题.根据国际半导体技术路线图(ITRS)对空白晶圆关键物理参数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量参数认证时所应具备的技术和能力.