双层多晶FLOTOX E2PROM的阈值电压退化特性

• 作者: 恩云飞 朱樟明 杨银堂 王金延 罗宏伟 解斌
• 来源期刊: 华南理工大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: FLOTOX E2PROM 阈值电压 陷阱电荷 可靠性
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2693字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-565X.2004.08.005

摘要

基于FLOTOX E2PROM结构,分析了影响FLOTOX E2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.实验表明,擦/写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	罗宏伟	西安电子科技大学微电子所	8	63	5.0	7.0
3	朱樟明	西安电子科技大学微电子所	164	1318	18.0	26.0
4	解斌	北京大学微电子所	2	7	1.0	2.0
5	王金延	北京大学微电子所	13	15	2.0	3.0