四阱耦合InGaAs/InAlAs/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

• 作者: 李华 李爱珍
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 量子级联激光器 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 572-573
• 页数: 2页
• 分类号: TN248.4|TN365
• 字数: 923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.033

摘要

报道了用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器(QCL)材料的结构特性.X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面(含770层外延层)、厚度达到单厚子层控制,组份波动≤1%,晶格失配≤1×10-3.采用特殊的优化工艺,Φ50 mm 外延片的表面缺路陷密度降至1×10 cm-2,达到了器件质量的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	189	3087	30.0	49.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0