CMP加工中的真空吸盘区域压力控制技术

• 作者: 孙禹辉 康仁科 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 化学机械抛光 真空吸盘 区域压力控制
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 4989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.07.007

摘要

目前半导体制造技术已经进入0.13μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300 mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了CMP(化学机械抛光)加工中大尺寸硅片夹持的关键之一-区域压力控制技术(Zone Back PressureControl),介绍了采用区域压力控制技术的必要性和理论基础,以及国内外研究现状和最新进展,并指出了该技术存在的问题与发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	孙禹辉	大连理工大学精密与非传统加工教育部重点实验室	2	50	2.0	2.0