新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响

• 作者: 曾明刚 蔡加法 蔡贝妮 陈松岩
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅(PS) 湿法氧化 光致发光(PL)
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 951-954
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.08.016

摘要

在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径.首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响.实验发现,在电流密度1 mA/cm2,氧化液温度60 ℃,氧化时间为10 min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理与机电工程学院	27	107	6.0	8.0
2	陈松岩	厦门大学物理与机电工程学院	68	248	8.0	12.0
3	蔡贝妮	厦门大学物理与机电工程学院	4	13	2.0	3.0
4	曾明刚	厦门大学物理与机电工程学院	4	44	2.0	4.0