C波段单片低功耗低噪声放大器

• 作者: 彭龙新 李建平 林金庭 魏同立
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 低功耗 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1085-1087
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027

摘要

报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金庭		30	238	10.0	14.0
2	魏同立	东南大学微电子中心	87	942	17.0	26.0
3	彭龙新		21	143	7.0	11.0
4	李建平		8	49	4.0	7.0