铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

• 作者: 刘少波 刘梅冬 姜胜林 曾亦可
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铅掺杂 BST铁电薄膜 结晶性能 铁电弛豫和弥散相变
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1315-1319
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.369

摘要

为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾亦可	华中科技大学电子科学与技术系	65	723	15.0	25.0
2	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
3	姜胜林	华中科技大学电子科学与技术系	101	727	15.0	21.0
4	刘少波	中国科学院电工研究所	11	68	5.0	7.0