Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响

• 作者: 姚熹 张良莹 杨晓静 高丽娜
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 BST薄膜 Co掺杂 sol-gel法 介电性质 可调性
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TM384
• 字数: 1909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.017

摘要

用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响.结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10-7 A/cm2、15.4%、12.03.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	张良莹	同济大学功能材料研究所	81	658	13.0	19.0
3	高丽娜	同济大学功能材料研究所	2	22	2.0	2.0
4	杨晓静	同济大学功能材料研究所	3	31	2.0	3.0