氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

• 作者: 余云鹏 余楚迎 林揆训 林璇英 陈城钊
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 氢等离子体加热 退火工艺 晶化度
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 662-664
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2676字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.046

摘要

利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
4	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0
5	陈城钊	浙江大学理学院物理系	1	4	1.0	1.0