离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

• 作者: 俞帆 刘焕林 吴国元 杨宇 邓书康 郝瑞亭 陈亮 陈刚 陈长青 高立刚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Si/Ge多层膜 离子束外延 XRD Raman散射
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 881-883
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.247

摘要

研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.