负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究

• 作者: 侯碧辉 刘凤艳 刘宇星 刘敏蔷
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石膜 硅衬底 结合力
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 力和声功能材料及其应用
• 页码范围: 2171-2173
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.600

摘要

由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯碧辉	北京工业大学应用数理学院	37	128	7.0	9.0
2	刘凤艳	北京工业大学应用数理学院	18	47	4.0	5.0
3	刘宇星	北京工业大学应用数理学院	12	74	3.0	8.0
4	刘敏蔷	北京工业大学应用数理学院	6	14	3.0	3.0