本文利用激光分子束外延(LMBE)技术在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长MgO薄膜,同时又在MgO(100)单晶基片上外延生长SiTiO3(STO)薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)仪原位实时监测薄膜生长,研究薄膜的生长过程.并结合X射线衍射(XRD)仪来分析在不同的生长条件下,不同应力对薄膜外延生长的影响.在压应力情况下,MgO薄膜在STO基片上以单个晶胞叠层的方式生长,即以"Cubic on Cubic"方式进行外延;在张应力情况下,由于膜内位错较多,STO薄膜在MgO基片上以晶胞镶嵌的方式进行生长,即以"Mosaic"结构进行外延;提高生长温度,可以减少膜内位错,提高外延质量,使STO薄膜在MgO基片上以较好的层状方式外延生长.