相移掩模和离轴照明在ArF浸没式光刻中对工艺窗口的影响

• 作者: 李艳秋 黄国胜
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 浸没式光刻 离轴照明 相移掩模 焦深
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 精密加工
• 页码范围: 40-45
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2005.01.008

摘要

研究了交替型相移掩模及离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型相移掩模,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大的曝光系统参数范围内,对光刻工艺窗口的改善.并对在不同的照明方式、掩模结构下获得的工艺窗口进行了比较.结果表明:①在较大焦深(DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置;②相对于传统照明和传统掩模,采用交替型相移掩模或者离轴照明,焦深均可提高100%～150%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳秋	中国科学院电工研究所	35	388	12.0	18.0