大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展

• 作者: 乔治 刘彩池 史严 张彦立
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 CZ-Si单晶 大直径 空洞型原生缺陷 快速退火
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2005.06.010

摘要

概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用高温快速退火(RTA)消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	乔治	石家庄铁道学院数理系	19	67	5.0	7.0
3	张彦立	石家庄铁道学院数理系	15	43	4.0	5.0
4	史严	石家庄铁道学院数理系	12	25	3.0	4.0