超薄层SiOxNy栅介质薄膜的制备与研究进展

• 作者: 张弘 彭英才 田书凤 范志东
• 来源期刊: 河北大学学报（自然科学版）
• 学科: 其他
• 关键词: SiOxNy栅介质 热退火N化 等离子体氮化 化学气相沉积 氮注入
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 学科综述
• 页码范围: 673-679
• 页数: 7页
• 分类号: O848.4
• 字数: 4731字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2005.06.024

摘要

在0.1μm级的Si-CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
2	范志东	河北大学电子信息工程学院	14	41	4.0	6.0
3	张弘	河北大学电子信息工程学院	4	12	2.0	3.0
4	田书凤	河北大学电子信息工程学院	2	10	1.0	2.0