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摘要:
随着互连尺寸及其间距的减小,由电容引起的耦合效应已成为影响VLSI给出了耦合噪声的时域解析表达式,讨论了影响峰值噪声电压的因素.与已有的方法相比, 模型得到了简化,而精度并未损失,它可以广泛应用于考虑耦合效应的版图优化.
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文献信息
篇名 VLSI设计中互连耦合噪声的估计
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 互连耦合噪声 主极点近似 灵敏度
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 276-279,299
页数 5页 分类号 TN405.97
字数 2257字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.02.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子研究所 420 2932 23.0 32.0
2 李跃进 西安电子科技大学微电子研究所 70 432 11.0 17.0
3 董刚 西安电子科技大学微电子研究所 36 121 7.0 9.0
4 柴常春 西安电子科技大学微电子研究所 80 592 15.0 19.0
传播情况
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引文网络
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2010(1)
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研究主题发展历程
节点文献
互连耦合噪声
主极点近似
灵敏度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
出版文献量(篇)
4652
总下载数(次)
5
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38780
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