基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究

• 作者: 吴文光 李华兵 范广涵 陈练辉 陈贵楚 雷勇 黄坤
• 来源期刊: 光电子技术与信息
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射半导体激光器 阈值电流密度 最佳阱数 腔长 端面反射率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与元器件
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2557字
• 语种: 中文

摘要

采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程.讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系.为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0
3	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
4	李华兵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0
5	吴文光	华南师范大学光电子材料与技术研究所	6	6	2.0	2.0
6	雷勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	76	4.0	8.0
7	黄坤	华南师范大学光电子材料与技术研究所	1	0	0.0	0.0