溅射功率对GeSb2Te4膜形貌及力学性能的影响

• 作者: 丁建宁 付永忠 杨继昌 范真 葛世荣 解国新
• 来源期刊: 江苏大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GeSb2Te4膜 射频磁控溅射 表面形貌 纳米压痕 摩擦性能
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 农业与机械工程
• 页码范围: 372-375
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7775.2005.05.002

摘要

利用电子回旋共振CVD设备的射频磁控溅射方法制备了GeSb2Te4膜,采用原子力显微镜、纳米硬度计以及侧向力显微镜考察了不同溅射功率对GeSb2Te4膜表面微观结构以及力学性能的影响.结果表明:在一定的溅射功率范围内,由于薄膜生长方式从三维向二维的转化,薄膜的表面粗糙度随功率的增大而降低,而且薄膜致密度也随之提高,从而使得非晶态GeSb2Te4膜硬度和弹性模量增大.利用能量密度理论对这一现象进行了分析.另外,由于表面能等因素的影响,功率为63 W制备的GeSb2Te4膜粘附力较高,摩擦系数却较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛世荣	中国矿业大学材料科学与工程学院	216	3667	33.0	51.0
2	丁建宁	江苏大学微纳米科学技术研究中心	146	769	14.0	19.0
3	杨继昌	江苏大学微纳米科学技术研究中心	108	1546	22.0	34.0
4	范真	江苏大学微纳米科学技术研究中心	61	532	11.0	20.0
5	付永忠	江苏大学微纳米科学技术研究中心	20	79	6.0	7.0
6	解国新	江苏大学微纳米科学技术研究中心	12	37	4.0	5.0