用积累型MOS变容管实现的2.4GHz 0.25μm CMOS全集成压控振荡器

• 作者: 李长生 池懿 王文骐
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 压控振荡器(VCO) MOS变容管
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-6122.2005.z1.025

摘要

基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管,实现了一工作于2.4GHz的全集成压控振荡器(VCO).测试结果表明,采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围.在2.5V工作电压下,控制电压从0～2.2V,VCO的频率调节范围为2.210～2.484GHz,在2.4GHz时相位噪声为-105dBc/Hz@600kHz,输出功率为-7.55dBm,电流损耗为7mA.芯片面积约为0.35mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文骐	上海大学通信与信息工程学院	22	282	8.0	16.0
2	池懿	上海大学通信与信息工程学院	2	6	2.0	2.0
3	李长生	上海大学通信与信息工程学院	3	32	2.0	3.0