CMOS工艺制作的横向多晶硅p+p-n+结的温度特性及其应用

• 作者: 梁平治 陈二柱
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 横向多晶硅p+p-n+结 CMOS工艺 微测辐射热计
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 219-222
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.03.016

摘要

应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流-电压的温度特性进行了理论分析和实验研究.实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27 ℃),恒定的正向偏置电流(1 μA)工作条件下,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计, 其黑体响应率Rbb(1 000 K,10 Hz)=4.3×103V/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁平治	中国科学院上海技术物理研究所	28	252	9.0	15.0
2	陈二柱	中国科学院上海技术物理研究所	5	81	3.0	5.0