基于CMOS工艺的横向多晶硅P+P-n+ 结红外微测辐射热计

• 作者: 梁平治 陈二柱
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微测辐射热计 横向多晶硅p+p-n+结 温度变化率 CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 227-230
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.03.016

摘要

基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明:在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm.Hz1/2.W-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁平治	中国科学院上海技术物理研究所	28	252	9.0	15.0
2	陈二柱	中国科学院上海技术物理研究所	5	81	3.0	5.0