SOI材料中绝缘层界面处离子注入氟的SIMS剖析

• 作者: 方培源 曹永明
• 来源期刊: 质谱学报
• 学科: 化学
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 无机质谱
• 页码范围: 31-32,96
• 页数: 3页
• 分类号: O657.63
• 字数: 1886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2997.2005.z1.016

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方培源	复旦大学材料科学系	12	76	5.0	8.0
2	曹永明	复旦大学材料科学系	14	64	4.0	7.0