四端硅压力传感器输出电压的解析模型

• 作者: 孟坚 朱德智 柯导明 陆生礼 陈军宁
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 四端硅压力传感器 正则摄动 解析表达式
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 912-914
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.05.030

摘要

本文用摄动法求解了横向压阻效应四端硅压力传感器输出电压的两维偏微分方程,导出了器件的输出电压与器件尺寸的关系;证明了随应力而变的输出电压最大值在器件横向L/2处,并给出了最大输出电压的解析表达式.这些解析公式得到的计算结果,都和数值解、实验数据相符合,说明了得到的公式具有高的精度.用所给的解析表达式可以很方便地进行器件设计和模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子系	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子系	160	1135	16.0	26.0
3	孟坚	安徽大学电子系	39	122	6.0	9.0
4	朱德智	安徽大学电子系	3	9	2.0	3.0