四端硅压力传感器的解析模型

• 作者: 丁浩 尹燕 柯导明 樊进 洪琪 陈军宁
• 来源期刊: 安徽大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 四端硅压力传感器 正则摄动 解析表达式
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 51-55
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 字数: 2135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2004.05.012

摘要

利用正则摄动法,采用合理的边界条件,求解四端硅压力传感器二维电势的偏微分方程,得出了该传感器二维电势的解析表达式;并由此导出了随应力而变的最大输出电压的解析表达式,且给出了输出电压与器件尺寸的精确关系.该模型物理意义明确,参数提取方便,其计算结果与数值解、实验数据较好吻合,可以很方便地进行器件设计和模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	丁浩	安徽大学电子科学与技术学院	2	12	2.0	2.0
4	洪琪	安徽大学电子科学与技术学院	19	27	3.0	4.0
5	尹燕	中国科学技术大学电子工程和信息科学系	7	33	4.0	5.0
6	樊进	安徽大学电子科学与技术学院	8	17	3.0	3.0