AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长

• 作者: 修向前 刘成祥 刘斌 周建军 姬小利 张禹 张荣 施毅 李亮 毕朝霞 江若琏 谢自力 郑有炓 陈琳 韩平 顾书林 龚海梅
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN GaN 分布布拉格反射镜 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 氮基紫外器件与材料
• 页码范围: 891-893
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1|TN304.055
• 字数: 1074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.11.027

摘要

文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了AlxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌.