等离子体浸没离子注入(PIII)过程中初始离子阵鞘层尺度内各物理量的时空演化

• 作者: Paul K.Chu Ricky Fu 杨士勤 田修波 黄志俊 黄永宪
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体浸没离子注入(PIII) 鞘层 粒子模拟(PIC) 平面靶体
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 115-119
• 页数: 5页
• 分类号: O53|TP34
• 字数: 3638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.02.009

摘要

等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种较新的、廉价的、非视线的技术.靶体被浸没在等离子体中,等离子体中的离子在靶体负脉冲偏压的作用下注入靶体而实现材料的表面改性.为了描述等离子体浸没离子注入过程,我们引用了一维粒子模型(PIC)对其进行了数值模拟,该模型通过求解空间电势的Poisson方程,电子的Bolzmann分布以及离子在网格中受力运动的Newton运动方程来完成.本文重点研究了一个初始离子阵鞘层内电势、离子浓度、离子注入靶体的速度和动能以及离子流密度的时空演化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田修波	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	106	515	11.0	17.0
2	杨士勤	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	93	787	14.0	22.0
3	黄永宪	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	29	198	11.0	12.0
4	Ricky Fu	香港城市大学物理及材料科学系	2	56	2.0	2.0
5	Paul K.Chu	香港城市大学物理及材料科学系	6	83	4.0	6.0
6	黄志俊	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	1	5	1.0	1.0