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摘要:
低温刻蚀被用来进行硅微深孔加工.文中介绍了感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀原理,通过对国产ICP进行改造,在SF6/O2气体条件下进行低温刻蚀,利用低温钝化机理控制工艺,减少器件损伤.
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GaN
刻蚀速率
选择比
直流偏压
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 改造国产ICP进行低温刻蚀
来源期刊 河南机电高等专科学校学报 学科 工学
关键词 感应耦合等离子体(ICP) 低温 钝化 机理
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 机电工程理论与应用
研究方向 页码范围 1-2
页数 2页 分类号 TN405
字数 1405字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-2093.2005.06.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕春红 24 68 6.0 8.0
2 任泰安 16 49 4.0 7.0
传播情况
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引文网络
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
感应耦合等离子体(ICP)
低温
钝化
机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
河南机电高等专科学校学报
双月刊
1008-2093
41-1270/TH
河南省新乡市平原路东段699号
chi
出版文献量(篇)
4407
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10
总被引数(次)
8208
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