P-GaN ICP刻蚀损伤研究

• 作者: 吕玲 周小伟 李培咸 郝跃 陈海峰 龚欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1097-1103
• 页数: 7页
• 分类号: TN305
• 字数: 4170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.019

摘要

运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致.