不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究

• 作者: 吕英 吴正云 庞爱锁 朱会丽 杨伟锋 陈厦平
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC ICP刻蚀 工作压强 表面损伤
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: O48
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2243.2007.z1.003

摘要

采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀SiC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加,表面污染加剧,刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨伟锋	厦门大学物理系	22	143	7.0	10.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
3	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
4	庞爱锁	厦门大学物理系	5	63	2.0	5.0
5	朱会丽	厦门大学物理系	4	31	3.0	4.0
6	吕英	厦门大学物理系	4	32	3.0	4.0