PECVD SiC材料刻蚀技术

• 作者: 张国炳 李志宏 王煜 田大宇 郭辉 陈晟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 381-384
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.094

摘要

通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.