两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤

• 作者: 周跃平 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 郭霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 两步刻蚀法 GaN-LED 刻蚀损伤 PL特性 Ⅰ-Ⅴ特性
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1635-1639
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.025

摘要

通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	周跃平	北京工业大学光电子技术实验室	3	42	2.0	3.0
4	宋颖娉	北京工业大学光电子技术实验室	6	81	4.0	6.0
5	艾伟伟	北京工业大学光电子技术实验室	5	77	3.0	5.0