SiO2薄膜辅助硅-玻璃热键合技术的研究

• 作者: 侯西云 娄迪 沈亦兵 白剑 黄腾超
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2薄膜辅助 硅-玻璃热键合 反应离子束蚀刻 热诱导应力
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1310-1314
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.09.008

摘要

为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术.通过分析SiO2薄膜辅助SGTB技术的化学物理过程,对键合过程中的工艺条件进行了优化.利用反应离子束蚀刻(RIBE)对基片进行抛光,使得键合表面达到2 nm级的表面粗糙度.在大气的环境下将处理过的玻璃、Si基片干燥,进行预键合.预键合好的Si、玻璃基片在200℃的氧化环境下退火,基片之间的硅烷醇键发生聚合反应,形成硅氧键键合.实验结果表明,硅和玻璃基片的表面能经过预键合后有了提高,水分子和Si表面SiO2中的氧原子交连在一起,OH-数量增加,形成硅烷醇键.Si表面热生长SiO2薄膜的存在,减少了由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白剑	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	70	605	15.0	21.0
2	侯西云	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	26	426	11.0	20.0
3	黄腾超	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	16	91	7.0	9.0
4	沈亦兵	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	40	431	10.0	19.0
5	娄迪	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	4	25	3.0	4.0