Ga在SiO2/Si系下的扩散模型与分布规律

• 作者: 于连英 孙海波 张晓华 裴素华
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 开管扩Ga模型 分布规律 分凝效应 SiO2-Si界面
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 920-923
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.06.019

摘要

为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO2中的固溶度较低而扩散系数很大,故形成线性分布形式,Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大,SiO2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中,两者的连续确立了开管扩Ga模型.(2)在严格控制硅片温度TSi、杂质源分解温度TGa2O3、反应气体流量CH2,调整预沉积、再分布及其两者的重复组合,便可在硅内得到任意理想的杂质分布;(3)Ga原子是通过理想表面(SiO2-Si界面)扩散入体内,避免与外界的接触沾污,获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海波		19	104	6.0	9.0
2	张晓华		6	26	3.0	5.0
3	裴素华		27	70	6.0	7.0
4	于连英		4	5	1.0	2.0